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PECVD中RF 和VHF哪个更好

发布时间：2020-12-07 点击次数：4838

气體(tǐ)分(fēn)子在外加射频场下被電(diàn)离成对应的等离子體(tǐ)，按照射频施加频率的不同，可(kě)分(fēn)為(wèi) RF-PECVD 和 VHF-PECVD 两种，其中 RF-PECVD 的频率一般為(wèi) 13.56MHz，VHF-PECVD 的频率一般在 30-300MHz 之间。由于射频频率与電(diàn) 子和气體(tǐ)分(fēn)子的碰撞几率成正相关关系，一定范围内升高射频频率，反应气體(tǐ)的分(fēn)解速率将加快，短时间内产生大量反应活性基团，可(kě)提升薄膜的沉积速率；另一方面，高频场下腔室内的電(diàn)子浓度增加、反应温度和直流自偏压降低，能(néng)够减小(xiǎo)等离子體(tǐ)的离化程度以及轰击效应，且有(yǒu)利于生成更多(duō)的反应前驱物(wù)，保证了薄膜优质生長(cháng)，薄膜缺更少、致密性更佳、電(diàn)导率更高。

但是高频场极易导致更多(duō)非均匀源的出现，从而引发驻波、奇点等效应，膜面容易脱落或出现条纹，使得薄膜的均匀性变差；此外，由于甚高频下薄膜的沉积速率会大大增加，不利于沉积过程中对薄膜厚度的精准控制，同时薄膜厚度的增加也会导致透光率的降低。

RF 镀膜均匀性好，VHF 高沉积速率提升产能(néng)

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