高效PERC单晶硅太阳電(diàn)池局部背表面场的工艺

目前，钝化发射极和背面電(diàn)池(PassivatedEmitter and Rear Cell，PERC) 技术已成為(wèi)光伏行业中提升晶硅太阳電(diàn)池转换效率的主流高效技术。PERC 技术是通过在硅片的背面增加一层钝化层( 氧化铝或氧化硅)，对硅片起到钝化的作用(yòng)，可(kě)有(yǒu)效提升少子寿命。為(wèi)了防止钝化层被破坏，影响钝化效果，还会在钝化层外面再镀一层氮化硅层。PERC 技术中引入的背面钝化可(kě)将電(diàn)池背表面载流子的复合速率降至 50 cm/s 以下，表面悬挂键降至1011 eV•cm2 以下，因而可(kě)改善電(diàn)池背面复合，提升電(diàn)池的少子寿命。此外，PERC 单晶硅太阳電(diàn)池的背面叠层钝化膜起到了背反射器的作用(yòng)，可(kě)将更多(duō)的長(cháng)波長(cháng)的光反射回電(diàn)池，从而提升電(diàn)池的長(cháng)波响应。但是由于PERC 单晶硅太阳電(diàn)池的背钝化层為(wèi)绝缘层，无法与铝背场形成電(diàn)极通路，因而，需要通过激光在硅片背面开槽，形成PERC 单晶硅太阳電(diàn)池的局部背表面场.

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